Столкнувшись с задержками в разработке EUV-литографии, компания Intel решила подстраховаться, уделив внимание технологиям, которые способны открыть резервы применения оптических сканеров в техпроцессах с нормами до 22 нм.

В частности, Intel работает над тем, то компания называет «вычислительной литографией» ("computational lithography). По сути дела, это вариант так называемой инверсной литографии. Инверсная литография, EUV и двойное экспонирование находятся в числе кандидатов, которые Intel оценивает на роль технологии для 22-нм (полушаг норм 32 нм) логических микросхем.

Инверсная литография, как следует из ее названия, построена на обратном ходе при изготовлении масок, отталкивающемся от заданных результатов. Попросту говоря, форму маски «вычисляют» по рисунку, который она должна оставить на пластине в результате экспонирования. Такой подход связан с разработкой специальных алгоритмов и интенсивными математическими операциями. Зато он позволяет решить многие проблемы, возникающие при переходе к условиям, когда формируемые в ходе литографии элементы должны быть значительно меньше длины волны излучения, используемого для экспонирования, и, как ожидается, поможет расширить действие оптической литографии за предел 45 нм.

Другими словами, инверсная литография поможет отсрочить потребность в EUV-литографии, которая и так уже припозднилась из-за технических проблем. Сейчас в планах Intel – освоить применение EUV для производства 22-нм логических чипов к 2011 году.

Пока EUV технология не готова. Более того, поскольку сроки ее предполагаемой готовности соответствуют срокам ожидаемого перехода отрасли на 22-нм нормы, некоторые наблюдатели сомневаются, что EUV вообще выйдет на стадию практического применения. Кроме чисто технических проблем, есть и другие – например, высокая стоимость оборудования для EUV: эксперты называют цифры порядка 70-100 млн. долл.

Источник: EE Times